Beschrijving

Aanvraag sturen

Keramische basis-PCB's zijn een speciaal type printplaat die keramische materialen als basis gebruiken en zijn gecoat met een metalen geleidende laag (meestal koper of aluminium) op het oppervlak. Ze worden voornamelijk gebruikt ter ondersteuning van elektronische componenten met hoog-vermogen en hoog-frequentie. Door de uitstekende thermische geleidbaarheid, elektrische isolatie en hoge{4}}temperatuurbestendigheid van keramiek te combineren met de goede elektrische geleidbaarheid van de metaallaag, zijn keramische substraten kerncomponenten geworden in hoogwaardige elektronische apparatuur zoals nieuwe energievoertuigen, fotovoltaïsche omvormers, 5G-basisstations en krachtige halfgeleidermodules.
De soorten keramische substraten kunnen vanuit twee hoofdperspectieven worden geclassificeerd: materialen en productieprocessen.

Aanduiding	Code	Onderdeelnummer	Fabrikant	Hoeveelheid
C1, C4, C20, C182, C191	NP0-0402-50 V-100 pF±5 %			5	250	500
C2, C92, C99, C100, C101, C102, C103, C104	X5R-0402-50 V-220 nF+-10 %			8	400
C3, C6, C7, C8, C11, C24, C25, C26, C27, C28, C30, C31, C34, C37, C47, C51, C52, C53, C54, C55, C68, C69, C70, C71, C79, C80, C84, C93, C94, C95, C96, C97, C98, C107, C108, C110, C112, C114, C115, C123, C124, C127, C130, C135, C138, C140, C142, C145, C152, C153, C154, C155, C156, C157, C158, C159, C160, C161, C166, C168, C171, C173, C181, C184, C185, C186, C187, C188, C189, C190	X7R-0402-50 V-100 nF+-10 %			70	3500	7000
C5, C9, C10, C91	X7R-0402-50 V-1 nF+-10 %			4	200	400
C21, C22, C23	X7R-0402-25 V-1 µF+-10 %	GRM155R61E105KA12D		3	450	300
C29, C42	X7R-0402-50 V-220 pF+-10 %			2	300	800	200
C32, C33, C35, C36	X5R-0201-10 V-100 nF+-10%			4	200	400	-20%
C38, C39, C40, C41, C46, C56	X7R-0402-6,3 V-1 µF+-10 %			6	300	600
C43, C44, C45, C63	X5R-0805-6,3 V-47 µF±20 %			4	200	400
C48, C49, C50, C67	X5R-0603-10 V-22 µF+-10 %			4	200	400	-20%
C57, C58, C59, C167	NP0-0402-50 V-22 pF±5 %			4	200	400
C60, C61, C62, C64, C65, C66, C169, C170, C183	X5R-0603-6,3 V-22 µF±20 %			9	450	900
C72, C73, C74, C172, C175	X7R-0402-50 V-10 nF+-10 %			5	250	500
C75, C76, C77, C78	X7R-1206-50 V-10 µF+-10 %			4	200	400
C81, C90	X7R-0402-50 V-22 nF+-10 %			2	300	200
C82, C83, C163, C164, C178, C179	X6S-0402-16 V-1 µF+-10 %			6	300	600
C85	X5R-0402-6,3 V-4,7 µF+-20 %			1	150	100
C86	NP0-0603-50 V-47 pF+-5 %			1	150	100
C87, C88, C89	X7R-1210-10 V-47 µF+-10 %			3	150	300
C105, C106, C109, C111, C149, C150	NP0-0402-50 V-33 pF±5 %			6	300	600
C113, C116, C117, C118, C119, C120, C121, C122, C125, C126, C128, C129, C131, C132, C133, C134, C136, C137, C139, C141, C143, C144, C146, C162, C165, C180	X5R-0402-6,3 V-10 µF+-20 %			26	1300	2600
C147		10TPB220M	Panasonic	1	100
C148	X5R-1210-16 V-100 µF±20 %			1	50	100
C151	X7R-0805-16 V-2,2 µF+-10 %			1	150	100
C174	X7R-1210-50 V-4,7 µF+-10 %			1	50	100
C176, C177		EEEFK1H470XP	Panasonic	2	200
C192	NP0-0402-50 V-220 pF+-5 %			1	150	100
DA1, DA2, DA3		SGM2576YN5G/TR	SGMicro	3	300
DA4, DA5, DA6, DA10		SY98003AQNC	Silergie	4	400
DA7, DA8		LD39050PUR	STMicro-elektronica	2	200
DA9		MPQ4316GRE-AEC1	MPS	1	100
DA11		LM74800QDRRRQ1	Texas-instrumenten	1	100
DA12		SY8089AAC	Silergie	1	100
DA13		LP5907MFX-1.2/NOPB	Texas-instrumenten	1	100
DD1		2N7001TDPWR	Texas-instrumenten	1	100
DD2		FUSB302BMPX	Onsemi	1	100
DD3		MCP2542FDT-H/MF	Microchip-technologie	1	100
DD4		XS9922B	Chipup	1	100
DD6		MS1836S	Macrosilicium	1	100
DD7		PCA9617ADPJ	Nexperia	1	100
FB1, FB14		BLM18PG121SN1D	Murata	2	100	200
FB2, FB3		BLM18KG121TN1	Murata	2	100	200
FB4, FB5, FB6, FB7, FB8, FB9, FB10		BLM18EG601SN1D	Murata	7	350	700
FB11		FBMH1608HM101-T	Taiyo	1	50	100
L1		SPM5030T-4R7M-HZ	Vishay	1	50	100
L2		LQM2HPN2R2MGSL	Murata	1	50	100
MP1, MP2, MP3, MP4		9774020633R	WIJ	4	400
MP5, MP6, MP7, MP8		9774050243R	WIJ	4	400
R1, R3, R26, R126	0402-100 Ω+-1 %			4	200	400
R2, R4, R5, R6, R12, R13, R15, R46, R105, R146, R151, R153, R161, R168, R177, R178, R185, R186, R187, R188, R189, R190, R191, R192, R196, R197, R198, R199, R202, R205, R214, R215, R216, R217, R218, R219, R220, R221, R222, R223, R224	0402-0 Ω+-5 %			41	2050	4100
R7	0402-12 Ω+-1 %			1	150	100
R8, R16, R38, R50, R61, R70, R71, R109	0402-1 kΩ+-1 %			8	400	800
R9	0603-1 kΩ+-1 %			1	150	100
R10, R179, R180, R181	0603-1,5 kΩ+-1 %			4	200	400
R17, R36, R37, R47, R58, R62, R66, R72, R73, R83, R111, R112, R204, R227	0402-10 kΩ+-1 %			14	700	1400
R22, R24, R48, R85, R86, R88, R99, R106, R107, R121, R122, R125, R127, R128, R129, R130, R131	0402-100 kΩ+-1 %			17	850	1700
R25, R59, R90, R108, R123	0402-20 kΩ+-1%			5	250	500
R27, R28, R30, R31, R32, R33, R34, R35	0402-590 Ω+-1 %			8	400	800
R29	0402-27 kΩ+-1 %			1	150	100
R39, R40	0402-1,8 kΩ+-1 %			2	300	200
R41, R42, R43	0402-47 kΩ+-1 %			3	450	300
R44	0402-1,2 kΩ+-1 %			1	150	100
R45	0603-120 Ω+-5 %			1	150	100
R49	0402-8,2 kΩ+-1 %			1	150	100
R52, R94, R95, R113, R120	0603-0 Ω+-5 %			5	250	500
R56, R57	0603-5,1 kΩ+-1 %			2	300	200
R60, R63, R64, R65	0402-2,2 Ω+-1 %			4	200	400
R67, R82, R91, R124	0402-2,2 kΩ+-1%			4	200	400
R68, R69, R76, R77, R78, R79, R80, R81, R92, R93, R132	0402-100 kΩ+-5 %			11	550	1100
R74, R75, R84, R133, R138, R139, R140, R141, R149, R150, R167, R172, R174, R176, R183, R184, R193, R194, R195, R229, R230	0402-4,7 kΩ+-1 %			21	1050	2100
R87	0402-31,6 kΩ+-1 %			1	150	100
R89	0402-120 kΩ+-1 %			1	150	100
R96	0402-4,3 kΩ+-1 %			1	150	100
R97	0402-75 kΩ+-1 %			1	150	100
R98	0402-51 kΩ+-1 %			1	150	100
R100, R102	0402-39 kΩ+-1 %			2	300	200
R101	0402-15 kΩ+-1 %			1	150	100
R103	0402-30 kΩ+-1 %			1	150	100
R110	0402-330 Ω+-1 %			1	150	100
R115, R116	0603-1,8 kΩ+-1 %			2	300	200
R119, R147	0402-75 Ω+-1 %			2	300	200
R135, R136	0402-0 Ω+-1 %			2	300	200
R148	0402-10 Ω+-1 %			1	150	100
R152	0402-22 Ω+-1 %			1	150	100
R154	0402-1 MΩ+-1 %			1	150	100
R160	0402-4,02 kΩ+-1 %			1	150	100
R169, R170	0805-0,033 Ω+-1 %			2	300	200
R182	0402-1 kΩ+-5 %			1	150	100
SB1, SB2		B3U-3000P	Omron	2	200
VD1, VD17		ESD5Z2.5T1G	AAN Halfgeleider	2	200
VD2		SMBJ40CA-TR	STMicro-elektronica	1	100
VD3, VD10, VD19		GNL-0603GC	G-noch	3	300
VD4, VD18		GNL-0603EC	G-noch	2	200
VD5, VD8		MBR0540	Hottech	2	200
VD6, VD7, VD12, VD13		ESD73034D	Technisch publiek	4	400
VD9		SMF05C.TCT	Semtech	1	100
VD14, VD16, VD21		PRTR5V0U2AX,215	Nexperia	3	300
VD20		GNL-0603UYOC	G-noch	1	100
VT1, VT3, VT4, VT5, VT7		2N7002DW	Hottech	5	500
VT2, VT6		WNM6002-3/TR	Willsemi	2	200
VT8, VT9		WMQ30N06TS	Wayon	2
VT10		IRLML2502	Uhm	1	100
XP1, XP2, XP3, XP4, XP7, XP12, XP13, XP14, XP15		SM03B-SRSS-TB	JST	9	900
XP5, XP11		SM04B-SRSS-TB	JST	2	200
XP6, XP10		SM05B-SRSS-TB	JST	2	200
XP8, XP9		SM06B-SRSS-TB	JST	2	200
XS2, XS3, XS4, XS5		AXK5F80547YG	Panasonic	4	400
XS6		10118241-001RLF	Amfenol	1	100
XS8, XS9		1054500101	Molex	2	200
XS11		1759503-1	TE-connectiviteit	1	100
XS12		5034802400	Molex	1	100
XS13		245804030000829+	Kyocera AVX	1	100
ZQ1, ZQ2		X322527MOB4SI	YXC	2	200

Classificatie op keramisch materiaal

Dit is de meest fundamentele classificatiemethode, omdat verschillende materialen de belangrijkste prestatiekenmerken van het substraat bepalen.

Substraten van aluminiumoxide (Al₂O₃).

Momenteel het meest gebruikte keramische substraatmateriaal in de elektronica-industrie. Ze bieden uitstekende algehele prestaties, hoge mechanische sterkte, goede chemische stabiliteit, overvloedige grondstoffen en relatief lage kosten. Ze worden op grote schaal toegepast in de micro-elektronica, vermogenselektronica en hybride micro-elektronica.

Aluminiumnitride (AlN) substraten

Gekenmerkt door extreem hoge thermische geleidbaarheid (doorgaans groter dan of gelijk aan 170 W/(m·K)) en een thermische uitzettingscoëfficiënt die goed is afgestemd op siliciumchips, waardoor ze een ideale keuze zijn voor hoogwaardige- thermische beheertoepassingen. Ze vereisen echter een zeer hoge materiaalzuiverheid en een strikte procescontrole.

Siliciumnitride (Si₃N₄) substraten

Hoewel ze zonder gedetailleerde uitleg in het bronmateriaal worden vermeld, staan ze algemeen bekend om hun uitstekende mechanische sterkte en thermische schokbestendigheid, waardoor ze geschikt zijn voor toepassingen met hoge betrouwbaarheidseisen.

Berylliumoxide (BeO)-substraten

Beschikken over een thermische geleidbaarheid die zelfs hoger is dan die van metallisch aluminium, maar hun toepassing is strikt beperkt vanwege de toxiciteit van het materiaal.

Classificatie per productieproces

Verschillende productieprocessen bepalen de structuur, prestaties en kosten van het substraat en zijn sleutelfactoren bij het onderscheiden van producttypen.

HTCC (hoge-co-gebakken keramiek)

Gesinterd bij hoge temperaturen van 1300–1600 graden, waarbij metalen met een hoog-smeltpunt- zoals wolfraam en molybdeen als geleiders worden gebruikt. Het proces is volwassen, maar de kosten zijn relatief hoog en de elektrische geleidbaarheid van de metaallagen is relatief slecht.

LTCC (lage-co-gebakken keramiek)

Gesinterd op 850-900 graden, waardoor het gebruik van metalen met een betere elektrische geleidbaarheid zoals zilver, goud en koper mogelijk is. Het kan complexe meerlaagse structuren realiseren en is geschikt voor hoog-frequente en sterk geïntegreerde modules.

DBC (direct gebonden koper)

Koperfolie wordt rechtstreeks aan het keramische substraat gehecht via een eutectisch proces bij hoge- temperatuur. Het heeft een lage thermische weerstand, een hoge stroom-capaciteit en een hoge betrouwbaarheid, waardoor het tegenwoordig een van de meest gangbare keramische substraten voor apparaten met hoog-vermogen is.

DPC (direct geplateerd koper)

Maakt gebruik van dunne-filmprocestechnologie om koper rechtstreeks op het oppervlak van het keramische substraat te galvaniseren om circuitpatronen te vormen. Het maakt hoge precisie en fijne lijnbreedtes mogelijk en heeft zich de afgelopen jaren snel ontwikkeld tot een breed toegepaste technologie.

LAM (lasergeactiveerde metallisatie)

Maakt gebruik van lasertechnologie om fijne metalen circuits op het keramische oppervlak te vormen, waardoor het geschikt is voor uiterst nauwkeurige en geminiaturiseerde apparaten.

Keramische basisprintplaten hebben de volgende hoofdkenmerken:

Functie

Hoge thermische geleidbaarheid

Keramische substraten hebben een relatief hoge thermische geleidbaarheid. De thermische geleidbaarheid van een keramisch substraat van aluminiumoxide bedraagt bijvoorbeeld 25–35 W/(m·K), terwijl die van een keramisch substraat van aluminiumnitride 170–230 W/(m·K) kan bereiken. Deze hoge thermische geleidbaarheid geeft keramische substraten uitstekende warmteafvoerprestaties, waardoor ze bijzonder geschikt zijn voor elektronische apparaten met hoog-vermogen.

Hoge mechanische sterkte en stabiliteit

Keramische substraten hebben een hoge sterkte en hardheid en kunnen de stabiliteit behouden in ruwe omgevingen. Hun thermische uitzettingscoëfficiënt ligt dicht bij die van silicium, wat het productieproces van voedingsmodules vereenvoudigt. Bovendien presteren keramische substraten goed onder ernstige temperatuurschommelingen en vertonen ze betrouwbare thermische cyclische prestaties, met cyclitellingen tot 50.000.

Uitstekende isolatieprestaties

Keramische substraten vertonen uitstekende isolatieprestaties en zijn geschikt voor toepassingen die een hoge diëlektrische sterkte vereisen. Ze hebben een lage diëlektrische constante en goede hoog{1}}frequentiekarakteristieken, waardoor ze zeer geschikt zijn voor hoog-circuits.

Uitstekende chemische stabiliteit

Keramische substraten vertonen een uitstekende chemische stabiliteit en kunnen superieure prestaties behouden in oxidatieve of corrosieve omgevingen met hoge- temperaturen. Ze zijn niet gemakkelijk gecorrodeerd.

Structuur

De basisstructuur van een keramisch substraat bestaat doorgaans uit een keramisch basismateriaal, een metaallaag en een lijmlaag. Concreet verwijst een keramisch substraat naar een speciaal bewerkte plaat waarin koperfolie bij hoge temperaturen direct wordt gehecht aan het oppervlak van een aluminiumoxide (Al₂O₃) of aluminiumnitride (AlN) keramisch substraat. Dit ultra-dunne composietsubstraat beschikt over uitstekende elektrische isolatie, hoge thermische geleidbaarheid, superieure soldeerbaarheid en sterke hechting. Bovendien kan het in verschillende patronen worden geëtst, net als een conventionele PCB, en biedt het een hoge stroom-capaciteit.

Gedetailleerde structuren van verschillende soorten keramische substraten

Hoge-co-gebakken keramiek (HTCC)

De productiekosten van dit type substraat zijn relatief hoog en de thermische geleidbaarheid ervan varieert in het algemeen van 20 tot 200 W/(m·K), afhankelijk van de samenstelling en zuiverheid van het keramische poeder.

Lage-Co-gebakken keramiek (LTCC)

Aan aluminiumoxidepoeder worden glasmaterialen met een laag-smeltpunt- toegevoegd, waardoor het gebruik van sterk geleidende metalen zoals goud en zilver als elektrode- en bedradingsmateriaal mogelijk is.

Dik-filmbedrukt keramisch substraat (TPC)

Dit type substraat wordt vervaardigd met behulp van een zeefdrukproces- en kent een eenvoudige productieprocedure. Het is geschikt voor het verpakken van elektronische apparaten met lage eisen aan circuitnauwkeurigheid, zoals elektronische modules voor auto's.

Direct gebonden koper (DBC) keramisch substraat

Onder hoge-omstandigheden worden de koperfolie en het keramische substraat stevig met elkaar verbonden via een eutectisch hechtingsproces, wat resulteert in een hoge hechtsterkte en uitstekende thermische geleidbaarheid. Het wordt veel gebruikt voor warmteafvoer in apparaten zoals bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGBT's) en lasercomponenten.

Actief metaalsolderen (AMB) keramisch substraat

Dit type substraat zorgt voor een verbinding tussen het keramische substraat en de koperfolie via soldeer dat actieve of zeldzame- aardelementen bevat. Het biedt een hoge hechtsterkte en betrouwbaarheid en is geschikt voor verpakkingstoepassingen met hoge-dichtheid.

Sollicitatie

1. Op elektronicagebied zijn keramische substraten ideale dragers voor elektronische componenten zoals geïntegreerde schakelingen, voedingsmodules en RF-apparaten. Met hoge sterkte, hoge hardheid, hoge slijtvastheid, uitstekende isolatieprestaties en thermische stabiliteit zorgen ze voor een stabiele werking en efficiënte signaaloverdracht in elektronische apparatuur. Toepassingen van keramische substraten omvatten, maar zijn niet beperkt tot, halfgeleidermodules met hoog-vermogen, stroomregelcircuits, hoog-schakelende voedingen met hoge frequentie, solid-relais, auto-elektronica, elektronische componenten voor de lucht- en ruimtevaart en het leger, en zonnepanelen.
2. Op communicatiegebied kunnen keramische substraten worden vervaardigd tot componenten zoals microgolffilters, antennes, stroomverdelers, koppelaars en isolatoren. Deze componenten spelen een cruciale rol in communicatiesystemen en bieden uitstekende mechanische sterkte en thermische geleidbaarheid.
3. Op het gebied van de optica worden keramische substraten gebruikt als basis voor lasers, wat een goede thermische geleidbaarheid en mechanische sterkte oplevert. Ze worden ook gebruikt voor de productie van verschillende componenten voor glasvezel-communicatie, zoals golflengteverdelingsmultiplexers en polarisatiecontrollers.
4. Op medisch gebied worden keramische substraten op grote schaal gebruikt in hoogwaardige medische apparaten, waaronder biomedische sensoren en kunstmatige organen, vanwege hun uitstekende biocompatibiliteit en chemische stabiliteit. Keramische substraten kunnen bijvoorbeeld worden gebruikt voor de vervaardiging van kunstmatige gewrichten en tandheelkundige restauratiematerialen, die goede biocompatibiliteit en esthetische eigenschappen bieden.
5. In de lucht- en ruimtevaart worden keramische substraten gebruikt voor de vervaardiging van motoronderdelen, thermische barrièrecoatings, bekledingen van verbrandingskamers en onderdelen van ruimtevaartuigen. Met hun hoge sterkte, stralingsbestendigheid en hoge-temperatuurbestendigheid bieden ze betrouwbare ondersteuning in extreme omgevingen, waardoor een stabiele systeemwerking wordt gegarandeerd onder hoge- snelheid, hoge- temperatuur en hoge- stralingsomstandigheden.
6. De keramische substraatproducten van ons bedrijf omvatten meerlaagse keramische PCB's en 5G PCB-antennes.

Aangepast product

De meeste van onze producten worden aangepast op basis van de originele Gerber-bestanden die door onze klanten zijn aangeleverd.
Nadat we de originele Gerber-bestanden hebben ontvangen, zetten we deze om naar werkende Gerber-bestanden voor productiegebruik.
Tijdens dit conversieproces passen we bepaalde parameters aan-zoals gatdiameter, spoorbreedte en spoorafstand-om de maakbaarheid te optimaliseren en een soepele productie te garanderen.

Pakket en garantie

Al onze producten zijn vacuüm-verpakt met droogmiddel om optimale bescherming tijdens opslag en transport te garanderen.
De houdbaarheid van vacuüm-verpakte printplaten varieert afhankelijk van het oppervlaktebehandelingsproces, doorgaans van 3 tot 12 maanden. De details zijn als volgt:

Houdbaarheid voor verschillende oppervlaktebehandelingsprocessen

ENIG (stroomloos nikkel-immersiegoud)

Onder vacuümverpakking met droogmiddelbescherming maximaal 12 maanden houdbaar.

Lood-Gratis HASL (heteluchtsoldeernivellering)

Als er geen speciale opslagaanpassingen worden gedaan, is de houdbaarheid doorgaans ongeveer 3 maanden.

OSP (organisch conserveermiddel voor soldeerbaarheid)

Heeft een houdbaarheid van 3-6 maanden onder vacuümverpakking met droogmiddelbescherming. Bij onjuiste opslag (bijvoorbeeld zonder droogmiddel of onvoldoende vacuümafdichting) kan de houdbaarheid echter verkorten tot ongeveer 3 maanden.

Immersiegoud (chemisch vergulden)

De houdbaarheid kan 6–12 maanden bedragen, op voorwaarde dat een gesloten verpakking en droogmiddel worden gebruikt.

Bedrijfsvoordeel

1. Wij garanderen een antwoord binnen 24 uur op alle vragen en klachten van klanten.
2. Onze fabriek biedt 1-dagelijkse monsterproductie voor tweelaagsplaten en levert snelle productiediensten voor kleine en middelgrote bestellingen, waardoor korte doorlooptijden en tijdige levering worden gegarandeerd.
3. We ondersteunen meerdere betalingsopties, waaronder EUR, USD, RUB en CNY, via PayPal, T/T en andere handige methoden.

Populaire tags: keramiek basisprint, China keramiek basisprint fabrikanten, leveranciers

Keramiek basisprintplaat